量子點發光二極管（QLED）具有出色的發光效率，色純度，可靠性，并且可通過具有成本效益的制造方式實現規?；a，因此是大面板顯示器的理想選擇。
目前，紅光，綠光和藍光QD-LED的效率分別達到了20.5％、21.0％和19.8％，但是這之中的量子點大多含有有毒的鎘成分。而基于磷化銦（InP）的材料和器件的性能仍然遠遠落后于含鎘的同類材料和器件。因此，改善器件的操作穩定性并避免使用有毒的鎘成分，成為了QLED商用的關鍵問題。
有鑒于此，三星先進技術研究院Eunjoo Jang團隊報道了一種尺寸均勻的InP為內核，高度對稱的Core-Shell結構QD的合成方法，其量子產率約為100％。
圖1. 基于InP的QD-LED性能
要點1. 生長過程
研究人員在初始ZnSe殼的生長過程中添加氫氟酸，以蝕刻掉氧化InP核表面，然后在340 ℃下實現高溫ZnSe的生長。工程化的殼層厚度可抑制能量轉移和俄歇復合，以保持高發光效率，并且初始表面配體被較短的配體取代，以實現更好的電荷注入。
圖2. QDs制備過程與表征
要點2. 優異發光性能
經過優化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED的最大外部量子效率為21.4％，最大亮度為100,000cd m-2，在100 cd m-2的條件下使用壽命長達一百萬小時，該性能可與最新的含鎘QD-LED媲美。
圖3. 不同InP-QDs光學性能
總之，這項研究發展了一種無鎘量子點的合成策略，并實現了優異的QLED發光性能，這些基于InP的QD-LED有望很快在商業顯示器中使用，并引發新一輪的商用技術革新。
來源： 納米人
